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高压平面MOS
参数参数值
商品目录高压平面MOS
封装/外壳TO-220
漏源极电压Vds600V
连续漏极电流Id12A
功率耗散Pd@25℃150W
栅极电压Vgs30V
栅极阈值电压3V
RDS(on)Typ(Ω)0.53
RDS(on)Max(Ω)0.75


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