参数 | 参数值 |
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商品目录 | 功率MOSFET |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 600V |
连续漏极电流Id | 28A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 120nC @ 10V |
栅极电压Vgs | ±30V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2714pF @ 100V |
功率耗散(最大值) | 250W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 123m Ohms@14A,10V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |