| 参数 | 参数值 |
|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 600V |
| 连续漏极电流Id | 28A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 120nC @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±30V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2714pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 250W(Tc) |
| Rds On(Max）@Id,Vgs | 123m Ohms@14A,10V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak，TO-263AB |
