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可控硅光耦合器
参数参数值
商品目录可控硅光耦合器
封装/外壳7.64*7.62*9.4
电压5V
介质耐压5000Vrms
工作温度-30~85℃
断态临界电压上升率≥200V/us
触发类型非过零型
通态有效电流0.9A
断态峰值电压600V
封装/外壳DIP8


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